[发明专利]溅射靶、氧化物半导体薄膜及它们的制造方法有效
| 申请号： | 201380052096.X | 申请日： | 2013-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN104704138B | 公开（公告）日： | 2018-07-13 |
| 发明（设计）人： | 江端一晃;但马望 | 申请（专利权）人： | 出光兴产株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C04B35/00;C04B35/453;H01L21/363;H01L29/786 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 蒋亭 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种溅射靶，包含含有铟元素(In)、锡元素(Sn)、锌元素(Zn)及铝元素(Al)的氧化物，该氧化物包含InAlO3(ZnO)m(m为0.1～10)表示的同系结构化合物和In2O3表示的方铁锰矿结构化合物。 | ||
| 搜索关键词： | 溅射靶 氧化物 氧化物半导体薄膜 同系结构化合物 方铁锰矿结构 铝元素 锡元素 锌元素 铟元素 制造 | ||
【主权项】：
1.一种溅射靶，其包含含有铟元素In、锡元素Sn、锌元素Zn及铝元素Al的氧化物，所述氧化物包含InAlO3(ZnO)m表示的同系结构化合物和In2O3表示的方铁锰矿结构化合物，所述m为0.1～10，所述In、Sn、Zn及Al的原子比满足下述式(1’)～(4’)，0.50≤In/(In+Sn+Zn+Al)≤0.70 (1’)0.05≤Sn/(In+Sn+Zn+Al)≤0.15 (2’)0.20≤Zn/(In+Sn+Zn+Al)≤0.35 (3’)0.05≤Al/(In+Sn+Zn+Al)≤0.25 (4’)式中，In、Sn、Zn及Al分别表示溅射靶中的各元素的原子比。
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