[发明专利]磁电传感器和其制造方法在审
| 申请号： | 201380052370.3 | 申请日： | 2013-10-07 |
| 公开（公告）号： | CN104737316A | 公开（公告）日： | 2015-06-24 |
| 发明（设计）人： | A·皮奥拉;E·匡特 | 申请（专利权）人： | 克里斯蒂安-阿尔伯特基尔大学 |
| 主分类号： | H01L41/00 | 分类号： | H01L41/00;H01L41/047 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 邓斐 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明提出一种新型的磁电传感器，该磁电传感器能够以薄层技术的已知方法制造并且对于预先确定的磁场比已知的弯曲梁传感器输出高出多倍的ME电压。称为分离层ME传感器的构造的特征在于铁电的(10)和磁致伸缩的相(12)之间的厚的介电层(14)的配置结构以及在一侧施加在铁电体(10)上的电极配置结构(18)，该电极配置结构构造用于沿着层延展获取ME电压。以有利的方式，该构造可以通过对常规的介电基底(14)在前侧和背侧上涂敷各一个功能层(10、12)容易地制造。 | ||
| 搜索关键词： | 磁电 传感器 制造 方法 | ||
【主权项】：
磁电(ME)传感器，其包括由磁致伸缩层(12)、铁电层(10)和介电载体层(14)构成的层堆叠，其特征在于，a.载体层(14)比铁电层(10)厚，并且b.载体层(14)设置在磁致伸缩层(12)和铁电层(10)之间，并且c.在铁电层(10)上设置有电极配置结构(18)，该电极配置结构构造用于沿着层延展获取信号电压，其中，d.电极配置结构(18)的指间距大于铁电层(10)的厚度。
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