[发明专利]用离子防护件处理基板的方法和设备在审
| 申请号： | 201380052521.5 | 申请日： | 2013-10-03 |
| 公开（公告）号： | CN104704613A | 公开（公告）日： | 2015-06-10 |
| 发明（设计）人： | 杰弗里·托宾;伯纳德·L·黄;坎芬·莱;劳拉·哈夫雷查克;刘伟;约翰内斯·斯温伯格 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/318 | 分类号： | H01L21/318 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国;赵静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 提供用于处理基板的方法和设备。在一些实施方式中，一种处理具有第一层的基板的方法可包括以下步骤：设置基板于基板支撑件上，所述基板支撑件位于工艺腔室的下处理空间内且在离子防护件下，所述离子防护件具有被施加到所述离子防护件的偏压功率，所述离子防护件包括实质上平坦部件和多个孔，所述实质上平坦部件被支撑成平行于所述基板支撑件，所述多个孔被形成为穿过所述平坦部件，其中所述孔的直径与所述平坦部件的厚度的比具有约10:1至约1:10的范围；使工艺气体流动到所述离子防护件上方的上处理空间内；在所述上处理空间中从所述工艺气体形成等离子体；用通过所述离子防护件的中性自由基来处理所述第一层；并将所述基板加热到高达约550℃的温度，同时处理所述第一层。 | ||
| 搜索关键词： | 离子 防护 处理 方法 设备 | ||
【主权项】：
一种处理基板的方法，所述基板具有设置于所述基板上的第一层，所述第一层是设置于所述基板上或被制造于所述基板上的3D装置的一部分，所述方法包括以下步骤：设置基板于基板支撑件上，所述基板支撑件设置在工艺腔室的下处理空间中且在离子防护件下，所述离子防护件具有被施加到所述离子防护件的偏压功率，其中所述离子防护件包括实质上平坦部件和多个孔，所述实质上平坦部件被支撑成平行于所述基板支撑件，所述多个孔被形成为穿过所述平坦部件，并且其中所述孔的直径与所述平坦部件的厚度的比具有约10:1至约1:10的范围；使工艺气体流动到所述离子防护件上方的上处理空间内；在所述上处理空间中从所述工艺气体形成等离子体；用通过所述离子防护件的中性自由基来处理所述第一层；和将所述基板加热到高达约550℃的温度，同时处理所述第一层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
