[发明专利]在基板中具有浅反掺杂层的隧穿结太阳能电池

摘要

本发明的一个实施例提供了隧穿结太阳能电池。太阳能电池包括基极层、位于与浅反掺杂层相邻的发射极层、位于与浅反掺杂层相对的基极层一侧相邻的表面场层、前侧电极及背侧电极。基极层包括具有与基极层的剩余部分相反导电掺杂类型的浅反掺杂层。发射极层具有比基极层的带隙更宽的带隙。

主权项

一种隧穿结太阳能电池，包括：硅基极层，具有第一导电掺杂类型；发射极，包括具有与第一导电掺杂类型相反的第二导电掺杂类型的非晶硅层；隧穿电流增强层，位于硅基极层和发射极之间，其中隧穿电流增强层包括具有第二导电掺杂类型的外延硅层，其中外延硅层与硅基极层的第一表面直接接触并且被配置为增强发射极和硅基极层之间的隧穿电流；第一量子隧穿势垒层，位于外延硅层和非晶硅层之间并且与外延硅层和非晶硅层直接接触；表面场层，位于硅基极层的第二表面上；第一电极，位于发射极的第一侧上；及第二电极，位于表面场层的第二侧上。