[发明专利]发光器件在审

专利信息
申请号: 201380052836.X 申请日: 2013-10-08
公开(公告)号: CN104704641A 公开(公告)日: 2015-06-10
发明(设计)人: 韩大燮;文用泰;白光善;曹阿拉 申请(专利权)人: LG伊诺特有限公司
主分类号: H01L33/04 分类号: H01L33/04;H01L33/32;H01L33/22
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 代理人: 周燕;夏凯
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 实施例涉及一种发光器件、制造发光器件的方法、发光器件封装、以及照明系统。根据实施例的发光器件可以包括:第一导电半导体层;在第一导电半导体层上的氮化镓基超晶格层;在氮化镓基超晶格层上的有源层;在有源层上的第二导电氮化镓基层;以及在第二导电氮化镓基层上的第二导电半导体层。第二导电氮化镓基层可以包括在有源层上的具有第一浓度的第二导电GaN层、具有第二浓度的第二导电InxAlyGa(1-x-y)N层(其中,0<x<1,0<y<1)以及具有第三浓度的第二导电AlzGa(1-z)N层(其中,0<z<1)。
搜索关键词: 发光 器件
【主权项】:
一种发光器件,包括:第一导电半导体层;在所述第一导电半导体层上的氮化镓基超晶格层;在所述氮化镓基超晶格层上的有源层;在所述有源层上的第二导电氮化镓基层;以及在所述第二导电氮化镓基层上的第二导电半导体层,其中,所述第二导电氮化镓基层包括在所述有源层上的具有第一浓度的第二导电GaN层、具有第二浓度的第二导电InxAlyGa(1‑x‑y)N层(其中,0<x<1,0<y<1),以及具有第三浓度的第二导电AlzGa(1‑z)N层(其中,0<z<1)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于LG伊诺特有限公司;,未经LG伊诺特有限公司;许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201380052836.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top