[发明专利]发光器件在审
申请号: | 201380052836.X | 申请日: | 2013-10-08 |
公开(公告)号: | CN104704641A | 公开(公告)日: | 2015-06-10 |
发明(设计)人: | 韩大燮;文用泰;白光善;曹阿拉 | 申请(专利权)人: | LG伊诺特有限公司 |
主分类号: | H01L33/04 | 分类号: | H01L33/04;H01L33/32;H01L33/22 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人: | 周燕;夏凯 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 实施例涉及一种发光器件、制造发光器件的方法、发光器件封装、以及照明系统。根据实施例的发光器件可以包括:第一导电半导体层;在第一导电半导体层上的氮化镓基超晶格层;在氮化镓基超晶格层上的有源层;在有源层上的第二导电氮化镓基层;以及在第二导电氮化镓基层上的第二导电半导体层。第二导电氮化镓基层可以包括在有源层上的具有第一浓度的第二导电GaN层、具有第二浓度的第二导电InxAlyGa(1-x-y)N层(其中,0<x<1,0<y<1)以及具有第三浓度的第二导电AlzGa(1-z)N层(其中,0<z<1)。 | ||
搜索关键词: | 发光 器件 | ||
【主权项】:
一种发光器件,包括:第一导电半导体层;在所述第一导电半导体层上的氮化镓基超晶格层;在所述氮化镓基超晶格层上的有源层;在所述有源层上的第二导电氮化镓基层;以及在所述第二导电氮化镓基层上的第二导电半导体层,其中,所述第二导电氮化镓基层包括在所述有源层上的具有第一浓度的第二导电GaN层、具有第二浓度的第二导电InxAlyGa(1‑x‑y)N层(其中,0<x<1,0<y<1),以及具有第三浓度的第二导电AlzGa(1‑z)N层(其中,0<z<1)。
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