[发明专利]碳化硅单晶基板及其制法有效
| 申请号： | 201380052882.X | 申请日： | 2013-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN104704150B | 公开（公告）日： | 2018-06-12 |
| 发明（设计）人： | 佐藤信也;藤本辰雄;柘植弘志;胜野正和 | 申请（专利权）人： | 新日铁住金株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 刘凤岭;陈建全 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供碳化硅单晶基板及其制法，该碳化硅单晶基板是从采用升华再结晶法生长而成的块状碳化硅单晶切出的基板，其中，在将基板对半分所得到的某一单侧的半圆区域内产生的螺旋位错比在剩下的半圆区域产生的螺旋位错少，从而螺旋位错部分降低。其是从采用升华再结晶法生长而成的块状碳化硅单晶切出的碳化硅单晶基板，其中，在将该基板对半分所得到的单侧的半圆区域内的多个测定点观察得到的螺旋位错密度的平均值为在剩下的半圆区域内的多个测定点观察得到的螺旋位错密度的平均值的80％以下。 | ||
| 搜索关键词： | 螺旋位错 碳化硅单晶基板 半圆区域 基板 碳化硅单晶 测定点 再结晶 切出 制法 升华 生长 观察 | ||
【主权项】：
一种碳化硅单晶的制造方法，其特征在于：其是通过使用籽晶的升华再结晶法而制造碳化硅单晶的方法，其包括以下工序：(i)第1生长工序，其在0.13kPa～2.6kPa的第1生长气氛压力、以及在籽晶的温度为2100℃～2400℃的第1生长温度下，生长厚度至少为1mm的碳化硅单晶；(ii)第2生长工序，其在超过2.6kPa且在65kPa以下的第2生长气氛压力、以及在籽晶的温度为2100℃～2400℃的第2生长温度下，以100μm/hr以下的结晶生长速度生长厚度至少为0.5mm的碳化硅单晶；以及(iii)第3生长工序，其在0.13kPa～2.6kPa的第3生长气氛压力、以及在籽晶的温度为2100℃～2400℃的第3生长温度下，生长比第1生长工序厚的碳化硅单晶；这里，该籽晶由SiC单晶构成，而且具有相对于(0001)面超过0°且在16°以下的偏离角θS；通过(i)～(iii)的工序而维持恒定的生长温度。
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