[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201380052950.2 | 申请日： | 2013-05-01 |
| 公开（公告）号： | CN104756258B | 公开（公告）日： | 2017-07-18 |
| 发明（设计）人： | 川上刚史;陈则;西井昭人;增冈史仁;中村胜光;古川彰彦;村上裕二 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L21/329;H01L29/06;H01L29/47;H01L29/868;H01L29/872 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038 | 代理人： | 金光华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 以围绕活性区域(12)的方式形成电场缓和层(13)。电场缓和层(13)具备多个P型杂质层(21～25)。各P型杂质层(21～25)具备P型注入层(21a～25a)；以及P型扩散层(21b～25b)，以围绕P型注入层(21a～25a)的方式形成，P型杂质的浓度比P型注入层(21a～25a)低。第一P型注入层(21a)与活性区域(12)相接或者一部分重叠地形成。各P型扩散层(21b～25b)形成为具有第一P型扩散层(21b)和第二P型扩散层(22b)相接或者重叠的程度的宽度。P型注入层(21a～25a)彼此的间隔(s2～s5)随着从活性区域(12)朝向半导体基板(11)的外周缘部变大。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，其特征在于，具备：第一导电类型的半导体基板；第二导电类型的活性区域，在所述半导体基板的厚度方向一方侧的表面部内，从所述半导体基板的外周缘部隔离地形成；以及电场缓和层，在所述半导体基板的厚度方向一方侧的表面部内，从所述活性区域的外周缘部朝向所述半导体基板的外周缘部，以围绕所述活性区域的方式环状地形成，所述电场缓和层具备：多个高浓度杂质层，相互隔开间隔，以围绕所述活性区域的方式形成，并含有第二导电类型的杂质；以及多个低浓度杂质层，以围绕各所述高浓度杂质层的方式形成，以比所述高浓度杂质层低的浓度含有所述第二导电类型的杂质，所述高浓度杂质层之中的在所述电场缓和层的径向上形成于最内侧的最内侧高浓度杂质层与所述活性区域相接或者一部分重叠地形成，围绕所述最内侧高浓度杂质层的所述低浓度杂质层与围绕比所述最内侧高浓度杂质层形成于所述径向的更外侧的其他所述高浓度杂质层的所述低浓度杂质层中的至少一个相连而形成，所述高浓度杂质层彼此的间隔随着从所述活性区域朝向所述半导体基板的外周缘部而变大。
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