[发明专利]单晶三轴磁场传感器在审

专利信息
申请号: 201380052975.2 申请日: 2013-10-10
公开(公告)号: CN104755948A 公开(公告)日: 2015-07-01
发明(设计)人: 蔡永耀;蒋乐越;P·扎夫兰斯基;Y·赵;S·顾 申请(专利权)人: 美新公司
主分类号: G01R33/00 分类号: G01R33/00
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 王丽军
地址: 美国马*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 提供了一种三轴磁性传感器或磁力计。利用螺旋条状纹式AMR结构的两个磁性传感器惠斯通电桥被制作在凸块结构的相反侧,该凸块结构形成在基板上,以提供相对于基板的平坦表面处于预定角度的表面。电桥组件沿Y轴定向,并且各电桥被互连使得可以通过处理电桥信号来产生Y和Z通道信号。X通道信号由设置在基板的水平面上的X轴传感器提供。
搜索关键词: 单晶三轴 磁场 传感器
【主权项】:
一种磁力计,包括:基板,其具有第一表面;第一多个凸块,其设置在所述基板的第一表面上,每个凸块包括相对于所述基板的第一表面的第一和第二倾斜表面;第一惠斯通电桥电路,其横跨所述第一多个凸块的第一倾斜表面设置;和第二惠斯通电桥电路,其横跨所述第一多个凸块的第二倾斜表面设置,其中,所述第一多个凸块中的各凸块与相同的第一轴线对齐。
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