[发明专利]Cu-Ga二元系溅射靶及其制造方法有效
| 申请号： | 201380053585.7 | 申请日： | 2013-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN104718308A | 公开（公告）日： | 2015-06-17 |
| 发明（设计）人： | 梅本启太;张守斌 | 申请（专利权）人： | 三菱综合材料株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;B22F1/00;B22F3/10;B22F3/14;B22F3/15;C22C1/04;C22C9/00 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 康泉;王珍仙 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种机械加工性优异，并且为高密度且抗弯强度较高的Cu-Ga二元系溅射靶及其制造方法。该溅射靶具有含Ga：28～35原子％、余量由Cu及不可避免的杂质所构成的成分组成，还具有以Ga：28原子％以上的高Ga含量Cu-Ga二元系合金相包围含Ga：26原子％以下、余量由Cu所构成的低Ga含量Cu-Ga二元系合金相的共存组织。 | ||
| 搜索关键词： | cu ga 二元 溅射 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种Cu‑Ga二元系溅射靶，其特征在于，具有含Ga：28～35原子％、余量由Cu及不可避免的杂质所构成的成分组成，还具有以Ga：28原子％以上的高Ga含量Cu‑Ga二元系合金相包围含Ga：26原子％以下、余量由Cu所构成的低Ga含量Cu‑Ga二元系合金相的共存组织。
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