[发明专利]具有包括屏蔽层的纳米线传感器的集成电路、感测装置、测量方法以及制造方法在审
| 申请号： | 201380053947.2 | 申请日： | 2013-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN104854448A | 公开（公告）日： | 2015-08-19 |
| 发明（设计）人： | J·H·克鲁特维杰克;M·梅舍;M·E·阿拉康-里维罗;N·M·A·德怀尔德 | 申请（专利权）人： | 皇家飞利浦有限公司 |
| 主分类号： | G01N27/414 | 分类号： | G01N27/414 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华;吕世磊 |
| 地址： | 荷兰艾恩*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 一种集成电路(100)，包括：衬底(110)；在所述衬底之上的绝缘层(120)；以及在所述绝缘层上的第一纳米线元件(140a)和与所述第一纳米线元件相邻的第二纳米线元件(140b)；其中第一纳米线元件布置成暴露于包括感兴趣的分析物的介质，并且其中第二纳米线元件通过在所述第二纳米线元件之上的屏蔽层(150)被从所述介质屏蔽。还公开了包括这样的IC的感测装置、利用这样的IC的感测方法和制造这样的IC的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 包括 屏蔽 纳米 传感器 集成电路 装置 测量方法 以及 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种集成电路(IC)，包括：‑衬底(110)；‑在所述衬底之上的绝缘层(120)；和‑在所述绝缘层上的第一纳米线元件(140a)和第二纳米线元件(140b)；其中所述第一纳米线元件被布置用于暴露于潜在地包括分析物的介质，并且其中所述第二纳米线元件被布置成通过在所述第二纳米线元件之上的屏蔽层(150)而被从所述介质屏蔽。
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