[发明专利]薄膜形成装置及薄膜形成方法在审
| 申请号： | 201380053966.5 | 申请日： | 2013-10-02 |
| 公开（公告）号： | CN104737279A | 公开（公告）日： | 2015-06-24 |
| 发明（设计）人： | 宫地章;奈良圭;小泉翔平;宫本健司 | 申请（专利权）人： | 株式会社尼康 |
| 主分类号： | H01L21/368 | 分类号： | H01L21/368;B05D3/12;G02F1/13;H01L21/336;H01L29/786;H01L51/50;H05B33/10 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 陈伟;王娟娟 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种薄膜形成装置，在基板的表面形成薄膜，具有：供给部，其将含有薄膜材料的溶媒的液滴供给至基板的表面；形状变形部，其使基板的表面上的液滴的形状以从一个方向朝向另一个方向延伸的方式变形；除去部，其对从一个方向朝向另一个方向延伸了的液滴除去溶媒。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 形成 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种薄膜形成装置，在基板的表面形成薄膜，具有：供给部，其将含有所述薄膜的材料的溶媒的液滴供给至所述基板的表面；形状变形部，其使所述基板的表面上的所述液滴的形状以从一个方向朝向另一个方向延伸的方式变形；以及除去部，其对从所述一个方向朝向所述另一个方向延伸了的所述液滴除去所述溶媒。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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