[发明专利]半导体装置及其制造方法在审
| 申请号： | 201380054059.2 | 申请日： | 2013-10-17 |
| 公开（公告）号： | CN104718627A | 公开（公告）日： | 2015-06-17 |
| 发明（设计）人： | 丸井俊治;林哲也;山上滋春;倪威;江森健太 | 申请（专利权）人： | 日产自动车株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/06;H01L29/47;H01L29/868;H01L29/872 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 刘晓迪 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种半导体装置(100)，具备：半导体基体(1)；第一导电型的漂移区域(2)，其在上部的一部分具有槽，配置在半导体基体(100)的第一主面上；第二导电型的电场缓和区域(4)，其仅配置在槽底部中除了中央部以外的角部的周围；阳极电极(9)，其埋入槽中；阴极电极(10)，其配置在半导体基体(100)的与第一主面相对的第二主面上。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其特征在于，具备：半导体基体；第一导电型的漂移区域，其在上部的一部分具有槽，配置在所述半导体基体的第一主面上；第二导电型的电场缓和区域，其仅配置在所述槽底部中除了中央部以外的角部的周围；阳极电极，其被埋入所述槽中；阴极电极，其配置在所述半导体基体的与所述第一主面相对的第二主面上。
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