[发明专利]包含铝合金的具有高铝含量的膜的沉积有效
| 申请号： | 201380054227.8 | 申请日： | 2013-10-23 |
| 公开（公告）号： | CN104718314B | 公开（公告）日： | 2018-12-11 |
| 发明（设计）人： | 戴维·汤普森;斯里尼瓦斯·甘迪科塔;吕新亮;唐薇;周静;赛沙德利·甘古利;杰弗里·W·安西斯;阿蒂夫·努里;法鲁克·京格尔;吴典晔;张镁;陈世忠 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | C23C30/00 | 分类号： | C23C30/00;C23C26/00 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国;赵静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 所提供的是包括铝、碳和金属的膜，其中铝的元素含量是大于约16％的量，且碳含量小于约50％。还提供了沉积所述膜的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 包含 铝合金 具有 含量 沉积 | ||
【主权项】：
1.一种沉积膜的方法，所述方法包括以下步骤：使基板表面暴露于金属卤化物前驱物，所述金属卤化物前驱物包括金属卤化物以于所述基板表面处提供金属卤化物；清除过剩的金属卤化物；使所述基板表面暴露于烷基铝前驱物和铝烷前驱物，以提供包括金属铝合金的N‑金属膜，所述烷基铝前驱物包括以下物质中的一或多种：三甲基铝、三乙基铝、氢化二甲基铝、二乙基氢化铝、甲基二氢化铝、C1‑C3单烷基氢化铝或C1‑C3二烷基氢化铝，所述铝烷前驱物包括胺‑铝烷和稳定化胺，所述稳定化胺选自二甲基环己胺和二环甲基己胺中的一或多种。
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