[发明专利]用于外延生长的衬托器和用于外延生长的方法

摘要

本发明涉及一种用于外延生长的衬托器，该衬托器用于通过执行晶片与腔室内的源气体的反应和生长外延层来制造外延晶片，该衬托器包括凹部，该凹部设置有开口，晶片布置在该开口上；凸缘部分，该凸缘部分用于支撑该晶片；和气体调节构件，该气体调节构件放置在衬托器开口的上表面的外圆周部分上，其中，该气体调节构件包括第一气体调节构件，该第一气体调节构件形成在该晶片的晶向<110>对面的预定区域上；第二气体调节构件，该第二气体调节构件形成在该晶片的晶向<100>对面的预定区域上；和第三气体调节构件，该第三气体调节构件形成在第一气体调节构件和第二气体调节构件之间，其中，第一气体调节构件、第二气体调节构件和第三气体调节构件形成为沿着晶片的圆周形成的区域的尺寸彼此不同，其中，第一气体调节构件、第二气体调节构件和第三气体调节构件形成为它们从晶片的中心至衬托器的方向的倾角彼此不同以改变气体流速。结果，可以通过在该区域上形成分别用于在衬托器的外圆周部分周围增加/减少气体流速的装置(气体调节构件)控制气体流速，从而当在半导体晶片上形成外延层时减少晶片的边缘部分上外延层的差异。

主权项

一种用于外延生长的衬托器，所述衬托器用于制造外延晶片，通过晶片和腔室中的源气体之间的反应在所述衬托器上生长外延层，所述衬托器包括：凹部，所述凹部具有形成在所述凹部中的开口，所述晶片放置在所述开口中；凸缘部分，所述凸缘部分支撑所述晶片；和气体调节构件，所述气体调节构件形成在所述衬托器的开口的上表面的外圆周部分上，其中，所述气体调节构件包括：第一气体调节构件，所述第一气体调节构件形成在面向所述晶片的<110>晶向的预定区域上；第二气体调节构件，所述第二气体调节构件形成在面向所述晶片的<100>晶向的预定区域上；和第三气体调节构件，所述第三气体调节构件形成在所述第一气体调节构件和所述第二气体调节构件之间，其中，所述第一气体调节构件至所述第三气体调节构件形成为它们沿着所述晶片的圆周形成的区域具有不同的尺寸，其中，所述第一气体调节构件至所述第三气体调节构件形成为在所述晶片的中心至所述衬托器的方向上具有不同的倾角以改变气体流速。