[发明专利]碳化硅半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201380054439.6 | 申请日： | 2013-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN104737297A | 公开（公告）日： | 2015-06-24 |
| 发明（设计）人： | 日吉透;和田圭司;增田健良 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/06;H01L29/12 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 李兰;孙志湧 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 碳化硅衬底(10)的第一至第三杂质区(11-13)中的每一个具有位于第一主表面(P1)的平坦表面(FT)上的部分。在平坦表面(FT)上，栅极绝缘膜(21G)将第一至第三杂质区(11-13)彼此连接。在平坦表面(FT)上，第一主电极(31)连接到第三杂质区(13)。第二主电极(42)设置在第二主表面(P2)上。侧壁绝缘膜(21S)覆盖第一主表面(P1)的侧壁表面(ST)。侧壁表面(ST)相对于{000-1}面倾斜50°至80°的角度。以此构造，抑制碳化硅半导体器件(100)中的泄漏电流。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种碳化硅半导体器件，所述碳化硅半导体器件具有元件部和终端部，所述元件部设置有半导体元件，所述终端部围绕所述元件部，所述碳化硅半导体器件包括：碳化硅衬底，所述碳化硅衬底由具有六方单晶结构的碳化硅制成，所述碳化硅衬底具有第一主表面和与所述第一主表面相反的第二主表面，所述第一主表面具有平坦表面和侧壁表面，所述平坦表面位于所述元件部中，所述侧壁表面位于所述终端部中，所述侧壁表面围绕所述平坦表面，所述侧壁表面相对于所述平坦表面倾斜以便接近所述第二主表面，所述碳化硅衬底包括第一杂质区、第二杂质区和第三杂质区，所述第一杂质区具有第一导电类型，所述第二杂质区设置在所述第一杂质区上并且具有第二导电类型，所述第三杂质区设置在所述第二杂质区上并且通过所述第二杂质区与所述第一杂质区分离，所述第一杂质区至所述第三杂质区中的每一个具有位于所述平坦表面上的部分；栅极绝缘膜，所述栅极绝缘膜在所述第一主表面的所述平坦表面上将所述第一杂质区和所述第三杂质区彼此连接；栅电极，所述栅电极设置在所述栅极绝缘膜上；第一主电极，所述第一主电极在所述第一主表面的所述平坦表面上与所述第三杂质区接触；第二主电极，所述第二主电极设置在所述第二主表面上；以及侧壁绝缘膜，所述侧壁绝缘膜覆盖所述第一主表面的所述侧壁表面，所述侧壁表面相对于{000‑1}面倾斜不小于50°且不大于80°。
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