[发明专利]溅射靶及其制造方法无效
| 申请号： | 201380054636.8 | 申请日： | 2013-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN104903487A | 公开（公告）日： | 2015-09-09 |
| 发明（设计）人： | 张守斌;梅本启太 | 申请（专利权）人： | 三菱综合材料株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;H01L31/032 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 康泉;王珍仙 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种形成CIGS膜时所使用的由Cu-In-Ga-Se合金形成的溅射靶，该CIGS膜用于形成具有较高的光电转换效率的太阳能电池的光吸收层。本发明的溅射靶为具有如下成分组成的烧结体，即，含有Cu、In、Ga及Se作为主成分，剩余部分包含不可避免杂质，其中，在该烧结体的基体中，以Se/(Se+Cu+In+Ga)的原子比计含有50.1～60％的Se。 | ||
| 搜索关键词： | 溅射 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种溅射靶，其特征在于，所述溅射靶为具有包含Cu、In、Ga、Se及不可避免杂质的成分组成的烧结体，其中，该Cu、In、Ga和Se为主成分，在所述烧结体中，以Se/(Se+Cu+In+Ga)的原子比计含有50.1～60％的Se。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三菱综合材料株式会社，未经三菱综合材料株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201380054636.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
