[发明专利]外延生长装置

摘要

本发明提供一种能使生长速度提高的外延生长装置。外延生长装置包括：反应室，由载置基板的基板载置部、具有透光性的顶板及侧壁部而划分；加热单元，设置于反应室外部，且将载置于反应室内的基板经由所述顶板来进行加热；以及反应气体导入单元，与基板的水平方向相平行地向反应室内导入反应气体；并且顶板的中心与所述基板载置部的距离小于10mm。

主权项

1.一种外延生长装置，其特征在于，包括：反应室，由载置基板的基板载置部、具有透光性的顶板及侧壁部而划分；加热单元，设置于所述反应室外部，且经由所述顶板对载置于所述反应室内的基板进行加热；以及反应气体导入单元，与基板的水平方向平行地向所述反应室内导入反应气体；并且所述外延生长装置构成为所述顶板的中心与载置于所述基板载置部的基板的距离小于10mm；并且在所述基板载置部的外周设置着晶座环，并且所述晶座环包含：与基板载置部的外周相隔而设置且由所述反应室的侧壁支撑的第一环部；以及载置于在所述第一环部的内周侧设置的圆形阶差部上且设置于凹部的第二环部，其中在所述侧壁部形成着向所述反应室内供给反应气体的供给路径；并且其中所述供给路径具有供从所述反应气体导入单元导入的反应气体碰撞的壁部，在所述壁部的至少两端部设置着沿着反应气体的流动方向的整流槽。