[发明专利]β－Ga2O3系单晶的培养方法在审
| 申请号： | 201380054859.4 | 申请日： | 2013-10-09 |
| 公开（公告）号： | CN104736748A | 公开（公告）日： | 2015-06-24 |
| 发明（设计）人： | 渡边信也;胁本大树;饭冢和幸;舆公祥;增井建和 | 申请（专利权）人： | 株式会社田村制作所;株式会社光波 |
| 主分类号： | C30B29/16 | 分类号： | C30B29/16;C30B15/34;C30B15/36 |
| 代理公司： | 北京市隆安律师事务所 11323 | 代理人： | 徐谦 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供一种β－Ga2O3系单晶的培养方法，能得到晶体品质高的板状的β－Ga2O3系单晶。在一实施方式中，提供β－Ga2O3系单晶的培养方法，其使用导模法，所述β－Ga2O3系单晶的培养方法包含：使板状的晶种(20)与Ga2O3系熔体(12)接触的工序和提拉晶种(20)使β－Ga2O3系单晶(25)生长的工序，所述板状的晶种(20)由全部区域的缺陷密度为5×105/cm2以下的β－Ga2O3系单晶构成。 | ||
| 搜索关键词： | ga2o3 系单晶 培养 方法 | ||
【主权项】：
一种β－Ga2O3系单晶的培养方法，使用导模法，所述β－Ga2O3系单晶的培养方法包含：使板状的晶种与Ga2O3系熔体接触的工序和提拉所述晶种使β－Ga2O3系单晶生长的工序，所述板状的晶种由全部区域的缺陷密度为5×105/cm2以下的β－Ga2O3系单晶构成。
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