[发明专利]具有酯基的含硅抗蚀剂下层膜形成用组合物

摘要

本发明的课题是提供一种用于形成可以作为硬掩模使用的抗蚀剂下层膜的光刻用途的抗蚀剂下层膜形成用组合物。解决手段是一种光刻用途的抗蚀剂下层膜形成用组合物，作为硅烷含有水解性硅烷、其水解物或其水解缩合物，该水解性硅烷含有式(1)的硅烷、或式(1)与式(2)的硅烷组合，且该式(1)的硅烷、或式(1)与式(2)的硅烷组合基于全部硅烷低于50摩尔％。式(1)[式中，R1为含有式(1‑1)、式(1‑2)、式(1‑3)、式(1‑4)或式(1‑5)的有机基团，a表示整数1，b表示整数0或1，a+b表示整数1或2。]，式(2)[式中，R4为含有式(2‑1)、式(2‑2)或式(2‑3)的有机基团，a1表示整数1，b1表示整数0或1，a1+b1表示整数1或2。]。

主权项

一种光刻用途的抗蚀剂下层膜形成用组合物，作为硅烷含有水解性硅烷、其水解物或其水解缩合物，该水解性硅烷含有式(1)所示的水解性硅烷、或由式(1)所示的水解性硅烷与式(2)所示的水解性硅烷构成的水解性硅烷组合，且该式(1)所示的水解性硅烷、或由式(1)所示的水解性硅烷与式(2)所示的水解性硅烷构成的水解性硅烷组合低于全部硅烷的50摩尔％，R1aR2bSi(R3)4‑(a+b)    式(1)式(1)中，R1为含有式(1‑1)、式(1‑2)、式(1‑3)、式(1‑4)或式(1‑5)所示的基团的一价有机基团，并且R1通过S‑C键与硅原子键合，式(1‑1)、式(1‑2)、式(1‑3)、式(1‑4)和式(1‑5)中，T1、T4和T7分别为亚烷基、环状亚烷基、亚烯基、亚芳基、硫原子、氧原子、氧羰基、酰胺基、仲氨基、或它们的组合，T2为烷基，T3和T5分别为脂肪族环或芳香族环，T6和T8分别为内酯环；n表示1或2的整数；R2为烷基、芳基、卤代烷基、卤代芳基、烯基、或具有环氧基、丙烯酰基、甲基丙烯酰基、巯基、氨基或氰基的有机基团，且R2通过S‑C键与硅原子键合；R3为烷氧基、酰氧基或卤素原子；a表示整数1，b表示整数0或1，a+b表示整数1或2；式(2)中，R4为含有式(2‑1)、式(2‑2)或式(2‑3)所示的基团的一价有机基团，且R4通过S‑C键与硅原子键合；R5为烷基、芳基、卤代烷基、卤代芳基、烯基、或具有环氧基、丙烯酰基、甲基丙烯酰基、巯基、氨基或氰基的有机基团，且R5通过S‑C键与硅原子键合；R6为烷氧基、酰氧基或卤素原子；a1表示整数1，b1表示整数0或1，a1+b1表示整数1或2。