[发明专利]经表面改性的阴极活性物质用硅纳米粒子及其制造方法有效
| 申请号： | 201380055154.4 | 申请日： | 2013-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN104736479B | 公开（公告）日： | 2018-01-09 |
| 发明（设计）人： | 张东圭;李柱明;沈揆恩;梁祐荣 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | C01B33/02 | 分类号： | C01B33/02;C01D15/02;B82B1/00;B82B3/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所11105 | 代理人： | 张波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种硅纳米粒子，该硅纳米粒子在硅纳米粒子的制造或后处理的过程中添加锂源和碳源来进行表面改性以使在表面包括LixSiyOz相的被膜和碳(C)覆盖层。根据本发明，能够防止在粉碎过程中非常容易氧化的硅纳米粒子的表面氧化。通过将防止了氧化的硅纳米粒子用作阴极材料，能够消除因氧化被膜而导致的容量减少、电解液枯竭等问题，由此能够防止锂二次电池特性劣化的现象。 | ||
| 搜索关键词： | 表面 改性 阴极 活性 物质 纳米 粒子 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种硅纳米粒子，其中，在其表面包括LixSiyOz相的氧化被膜和碳(C)层，其中，x>0，y>0，0<z≤2(x+4y)。
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