[发明专利]半导体器件的制造方法在审
| 申请号： | 201380055163.3 | 申请日： | 2013-08-12 |
| 公开（公告）号： | CN104756233A | 公开（公告）日： | 2015-07-01 |
| 发明（设计）人： | 山村官司;清水宏信;有田辉夫;内山淳;川上知巳;泽井敬一 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/22 | 分类号： | H01L21/22;H01L21/225;H01L29/74 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司11322 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明实现一种半导体器件的制造方法，其能够避免在一个半导体器件的制造过程作为在固相扩散中使用的扩散源的高浓度杂质层污染使用同一设备制造的其它半导体器件，并且能够抑制半导体器件的特性因密封树脂中的可动离子而变动。半导体器件的制造方法包含利用固相扩散形成构成半导体器件(晶闸管)(100)的扩散区域(阴极区域)(103)的固相扩散工序，该固相扩散工序包含在半导体衬底(N型硅衬底)(101)上形成成为杂质的扩散源的高浓度杂质层，使得该高浓度杂质层与该半导体衬底的规定的区域有选择地接触的工序；利用热处理使杂质从该扩散源层扩散至该半导体衬底而形成该扩散区域的工序；和在进行了该热处理后除去该扩散源层的工序。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的制造方法，其包含利用固相扩散形成构成半导体器件的扩散区域的固相扩散工序，所述半导体器件的制造方法的特征在于：该固相扩散工序包含：在半导体衬底上形成成为杂质的扩散源的扩散源层，使得该扩散源层与该半导体衬底的规定的区域有选择地接触的工序；利用热处理使杂质从该扩散源层扩散至该半导体衬底而形成该扩散区域的工序；和在进行了该热处理后进行其它的处理前除去该扩散源层的工序。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
