[发明专利]碳化硅半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201380055165.2 | 申请日： | 2013-10-08 |
| 公开（公告）号： | CN112368809A | 公开（公告）日： | 2021-02-12 |
| 发明（设计）人： | 日吉透;斋藤雄 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/316;H01L21/768;H01L29/06;H01L29/12;H01L29/78 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 李兰;孙志湧 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 碳化硅衬底(10)包括：第一杂质区(17)；阱区(13)，其接触第一杂质区(17)；以及第二杂质区(14)，其通过阱区(13)与第一杂质区(17)分离。第一主表面(10a)包括接触沟道区(CH)的第一区(10d)，和不同于第一区(10d)的第二区(10f)。含硅材料(22a)被形成在第二区(10f)上。第一二氧化硅区(15b)被形成在第一区(10d)上。氧化含硅材料(22a)以形成第二二氧化硅区(15c)。形成栅极道(2)，栅极道(2)被电气地连接到栅电极(27)并且在面对第二二氧化硅区(15c)的位置。通过该构造，能够提供能够实现改进的在栅极道和衬底之间的绝缘性能，同时抑制衬底的表面粗糙的碳化硅半导体器件和其制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
