[发明专利]等离子体源

摘要

本发明涉及磁增强阴极等离子体沉积和阴极等离子体放电，其中，所述带电粒子可以在稀薄的真空系统中被引导。具体的，描述了阴极等离子体源簇或组合，其中，至少两个等离子体源单元以这样一种方式排布在稀薄的真空系统中产生的磁场相互作用提供本质上与中性粒子和液滴的主体垂直的方向上的电子的引导传送逸出路径，该中性粒子和液滴生成在所述阴极等离子体源中。此外，本发明的所述阴极等离子体源排布将生成非常低磁场的区域，其中，通过电场和磁场捕获电子。由所述等离子体簇生成的离子将通过所述电场或磁场确定的逸出路径跟随电子。所述离子的方向与那些中性粒子从根本上是不同的，用这种方式提供带电粒子滤波方法。本发明可以实现在不同实施例和等离子体簇的不同排布中，通过使得所述等离子体将穿过用于所需等离子体处理和/或合适基板涂层的区域的磁相互作用方式而相互作用。

主权项

一种等离子体源，包括：间隔分开的第一和第二等离子体源单元，各等离子体源单元均包括靶和磁性装置；其中，所述各磁性装置均创建了在它们各自的靶上形成闭环磁阱的磁场；并且，所述磁场相互作用以形成：在位于所述等离子体源之间的区域中的大致很低磁场强度的范围；以及从位于所述等离子体源单元之间的所述区域延伸开来的导引磁场。