[发明专利]微机械器件的制备有效
| 申请号： | 201380055371.3 | 申请日： | 2013-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN105229511B | 公开（公告）日： | 2018-07-20 |
| 发明（设计）人： | R·埃尔里奇;Y·格尔森;A·斯庞特 | 申请（专利权）人： | 苹果公司 |
| 主分类号： | G02B26/08 | 分类号： | G02B26/08;B81C1/00;B81C3/00;H01L21/02;H01L21/58;H01L21/68 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 罗银燕 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于由半导体材料的晶片(170)加工器件(206)的方法，该方法包括通过使用湿法蚀刻工艺从晶片的至少第一侧移除半导体材料来在器件的区域中局部减薄晶片至预定义的厚度，并且在器件的区域中蚀穿所减薄的晶片以便释放器件的运动部件(202)。还描述了用于进行加工的其他方法和系统。 | ||
| 搜索关键词： | 微机 器件 制备 | ||
【主权项】：
1.一种用于由半导体材料的具有第一侧和第二侧的晶片来加工器件的方法，所述方法包括：在所述晶片的至少所述第一侧沉积电介质层；使用第一蚀刻工艺，穿过所述电介质层蚀刻所述器件的特征部的图案至所述半导体材料中；在蚀刻所述图案之后，移除所述电介质层以至少在所述晶片的包含所述图案的区域上方暴露所述半导体材料；在移除所述电介质层之后，通过使用第二蚀刻工艺，即湿法蚀刻工艺从所述晶片的至少所述第一侧移除所述半导体材料来局部减薄所述晶片的包含所述图案并从其移除所述电介质层的所暴露的区域至预定义的厚度，同时在所述区域中保存所述图案，其中移除所述电介质层包括使所述电介质层仅围绕所述器件的周边保留在适当的位置，从而防止在所述湿法蚀刻工艺期间减薄所述周边；以及在所述器件的所述区域中蚀穿所减薄的晶片以便释放所述器件的运动部件。
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