[发明专利]具有可定制的流动注入的外延腔室有效
| 申请号： | 201380055524.4 | 申请日： | 2013-10-08 |
| 公开（公告）号： | CN104756231B | 公开（公告）日： | 2020-08-28 |
| 发明（设计）人： | 刘树坤;哲鹏·丛;穆罕默德·图格鲁利·萨米尔;叶祉渊;戴维·K·卡尔森;李学斌;埃罗尔·安东尼奥·C·桑切斯;斯瓦米纳坦·斯里尼瓦桑 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国;赵静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供用于在处理腔室中处理基板的设备。在一些实施方式中，用于处理腔室中的气体注射器包括第一组出口，该第一组出口以一角度提供第一工艺气体的有角注射至平面表面；和邻接该第一组出口的第二组出口，该第二组出口大致上沿着该平面表面提供第二工艺气体的加压层流，该平面表面正交于该第二组出口延伸。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 定制 流动 注入 外延 | ||
【主权项】：
一种用于处理腔室的气体注射器，包括：第一组出口，所述第一组出口以一角度提供第一工艺气体的有角注射至平面表面；和第二组出口，邻接所述第一组出口，所述第二组出口大致上沿着所述平面表面提供第二工艺气体的加压层流，所述平面表面正交于所述第二组出口延伸。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
