[发明专利]在具有交叉耦合的位线保持器的存储器阵列中在读取写入冲突期间进行假读以防止瞬态开路电流有效
| 申请号： | 201380055690.4 | 申请日： | 2013-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN104756190B | 公开（公告）日： | 2017-03-01 |
| 发明（设计）人： | 哈里什·尚卡尔;戴维·保罗·霍夫;马尼什·加尔吉 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C8/16 | 分类号： | G11C8/16;G11C11/419;G11C8/08;G11C11/418 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司11287 | 代理人： | 宋献涛 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明提供用于检测及抑制存储器阵列(200)中的瞬态开路电流的系统及方法。在具有交叉耦合的位线保持器(208a到b)的静态随机存取存储器SRAM阵列中发生同时读取写入冲突的情况下，实施假读以防止瞬态开路电流。当检测到对所述存储器阵列的第一条目(202i)的同时读取及写入操作时，抑制对所述第一条目的所述读取操作(206i)且执行对所述存储器阵列的第二条目(202j)的假读操作(206j)。允许不受干扰地继续进行对所述第一条目的所述写入操作(204i)。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 交叉 耦合 保持 存储器 阵列 读取 写入 冲突 期间 进行 防止 瞬态 开路 电流 | ||
【主权项】：
一种在静态随机存取存储器SRAM阵列中防止瞬态开路电流的方法，所述方法包括：检测对所述SRAM阵列的第一位单元的同时读取及写入操作，所述第一位单元通过第一和第二读取位线耦合到第一和第二交叉耦合的位线保持器；当检测到对所述SRAM阵列的第一位单元的所述同时读取及写入操作时，抑制对所述第一位单元的所述读取操作以及执行对所述SRAM阵列的第二位单元的假读操作，所述第二位单元通过所述第一和第二读取位线耦合到所述第一和第二交叉耦合的位线保持器。
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