[发明专利]具有基于阳离子的导电氧化物元件的低电压嵌入式存储器有效
| 申请号： | 201380055748.5 | 申请日： | 2013-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN104756246B | 公开（公告）日： | 2018-12-18 |
| 发明（设计）人： | E·V·卡尔波夫;B·S·多伊尔;C·C·郭;R·S·周 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;G11C13/00;H01L27/24 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 林金朝;王英 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明描述了具有基于阳离子的导电氧化物元件的低电压嵌入式存储器。例如，存储器元件的材料层堆叠体包括第一导电电极。基于阳离子的导电氧化物层设置在所述第一导电电极上。所述基于阳离子的导电氧化物层具有位于其中的多个阳离子空位。第二电极设置在所述基于阳离子的导电氧化物层上。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 基于 阳离子 导电 氧化物 元件 电压 嵌入式 存储器 | ||
【主权项】：
1.一种用于存储器元件的材料层堆叠体，所述材料层堆叠体包括：第一导电电极；设置在所述第一导电电极上的基于阳离子的导电氧化物层，所述基于阳离子的导电氧化物层具有位于其中的多个阳离子空位；以及设置在所述基于阳离子的导电氧化物层上的第二电极，其中，所述第二电极包括作为阳离子的插入主体的材料，并且其中，所述材料选自由石墨和金属硫族化物构成的组。
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