[发明专利]用于校准开关模式离子能量分布系统的系统和方法无效
申请号: | 201380056217.8 | 申请日: | 2013-08-26 |
公开(公告)号: | CN104756228A | 公开(公告)日: | 2015-07-01 |
发明(设计)人: | D·J·霍夫曼;D·卡特;V·布劳克 | 申请(专利权)人: | 先进能源工业公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司72002 | 代理人: | 陈松涛,王英 |
地址: | 美国科*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 暂无信息 | 说明书: | 暂无信息 |
摘要: | 公开了用于调节离子能量和离子能量分布以及校准偏置电源和等离子体处理室的系统、方法和装置。示范性方法包括将周期电压函数施加到负载仿真器,所述负载仿真器仿真等离子体负载和诸如e-卡盘之类的相关电子设备的电气特性。可以针对不同电气参数测量所述负载仿真器,并且可以将所述负载仿真器与由所述偏置电源产生的预期参数相比较。在测量值与预期值之间的差可以用于识别并且校正所述偏置电源、所述室或用于激励并且维持所述等离子体的电源中的故障和异常。一旦校准了所述偏置电源,就可以通过测量并且计算有效电容来校准所述室,所述有效电容包括所述衬底支撑部与可选的所述衬底的串联和并联电容。 | ||
搜索关键词: | 用于 校准 开关 模式 离子 能量 分布 系统 方法 | ||
【主权项】:
一种校准偏置电源的方法,所述偏置电源被配置为在衬底的等离子体处理期间在所述衬底的顶部表面上产生电位,所述方法包括:接收经修改的周期电压函数,所述经修改的周期电压函数包括脉冲和所述脉冲之间的部分;接收预期的离子能量;接收预期的离子电流;将所述经修改的周期电压函数传送到等离子体负载仿真器;测量所述等离子体负载仿真器的鞘层电容部件两端的电压;将来自所述等离子体负载仿真器的电流源的已知电流施加到所述鞘层电容部件;将所述鞘层电容部件两端的所述电压与所述预期的离子能量相比较,并且根据此比较来确定离子能量误差;将所述电流与所述预期的离子电流相比较,并且根据此比较来确定离子电流误差;以及报告所述离子能量误差和所述离子电流误差。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造