[发明专利]半导体DBR激光器有效
| 申请号： | 201380056322.1 | 申请日： | 2013-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN104756331B | 公开（公告）日： | 2018-06-08 |
| 发明（设计）人： | 萨姆·戴维斯;安德鲁·沃德;A·卡特 | 申请（专利权）人： | 奥兰若技术有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/024 | 分类号： | H01S5/024;H01S5/026;H01S5/0625;H01S5/10;H01S5/125;H01S5/12 |
| 代理公司： | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人： | 张瑞;郑霞 |
| 地址： | 英国北*** | 国省代码： | 英国;GB |
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| 摘要： | 一种配置用于单纵模操作的分布式布拉格反射激光器，其包括具有以下项的光波导：光学增益区；第一反射器，该第一反射器为第一分布式布拉格反射器(DBR)区，其包括被配置为产生具有一个或多个第一反射峰的反射谱的光栅；以及第二反射器，其中第一DBR区被配置为补偿使用中沿着DBR区的长度不均匀地引入的热啁啾。 | ||
| 搜索关键词： | 反射器 配置 分布式布拉格反射器 分布式布拉格反射 光学增益区 光栅 激光器 不均匀 单纵模 反射峰 反射谱 光波导 半导体 引入 | ||
【主权项】：
一种配置用于单纵模操作的半导体分布式布拉格反射激光器，其具有包括以下项的光波导：光学增益区,第一反射器，所述第一反射器为第一分布式布拉格反射器区，其包括被配置为产生具有在未调谐状态中的梳状第一反射峰的反射谱的光栅，以及第二反射器，其中，所述第一分布式布拉格反射器区被配置为补偿使用中沿着所述第一分布式布拉格反射器区的长度不均匀地引入的热致啁啾，其中所述热致啁啾由在整个第一分布式布拉格反射器区中远离光学增益区的所述第一分布式布拉格反射器区中的热梯度而引起，以及其中所述补偿沿着所述第一分布式布拉格反射器区改变。
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