[发明专利]用于测量多层半导体结构的层的厚度变化的方法有效
| 申请号： | 201380056335.9 | 申请日： | 2013-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN104870933B | 公开（公告）日： | 2017-05-24 |
| 发明（设计）人： | 奥列格·科农丘克;D·杜塔尔特尔 | 申请（专利权）人： | 索泰克公司;意法半导体集团(克罗尔2) |
| 主分类号： | G01B11/06 | 分类号： | G01B11/06;G01B11/30 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司11127 | 代理人： | 王小东 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于测量多层半导体结构的层的厚度变化的方法，其特征在于，该方法包括借助图像获取系统来获取所述结构的表面的至少一个图像，所述图像是通过从所述结构的表面反射近乎单色光通量而获得的；对获取的所述至少一个图像进行处理，以基于从所述表面反射的光的强度的变化来确定待测量的所述层的厚度的变化，并且近乎单色光通量的波长被选择成与所述结构的除了必须测量厚度变化的层之外的层的反射率的敏感度的最小值相对应，所述层的反射率的敏感度等于如下二者的比值两个多层结构的反射率之差，所考虑的层针对这两个多层结构具有给定的厚度差；以及所述给定的厚度差，在这两个多层结构中，其它层的厚度相同。本发明还涉及一种实施所述方法的测量系统。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 测量 多层 半导体 结构 厚度 变化 方法 | ||
【主权项】：
一种用于测量多层半导体结构的层的厚度变化的方法，其特征在于，该方法包括：‑借助图像获取系统来获取所述结构的表面的至少一个图像，所述图像是通过在所述结构的所述表面上反射准单色光通量而获得的；‑处理获取的所述至少一个图像，以基于由所述表面反射的光的强度变化来确定待测量的所述层的所述厚度变化；并且所述准单色光通量的波长被选择成与关于所述结构的除了必须测量厚度变化的层之外的层的反射率的敏感度的最小值相对应，关于层的反射率的所述敏感度等于如下二者的比值：‑两个多层结构的反射率之差，所考虑的层针对这两个多层结构具有给定的厚度差；以及‑所述给定的厚度差，在这两个多层结构中，其它层的厚度相同。
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