[发明专利]在薄膜光伏装置中具有Te富集控制的背接触浆在审
申请号: | 201380056543.9 | 申请日: | 2013-08-30 |
公开(公告)号: | CN105340080A | 公开(公告)日: | 2016-02-17 |
发明(设计)人: | T.J.卢卡斯;C.R.科尔万;L.A.克拉克;W.K.梅茨格尔;M.萨德希;M.C.科尔;T.J.特伦特勒 | 申请(专利权)人: | 第一太阳马来西亚私人有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/073 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 周李军;李炳爱 |
地址: | 马来西*** | 国省代码: | 马来西亚;MY |
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摘要: | 提供了用于在薄膜光伏装置上形成背接触的方法。所述方法可包括:在由p-n结的p-型吸收体层(碲化镉)限定的表面上施用导电浆;和,固化所述导电浆,以在表面上形成导电涂层,使得在固化期间,来自导电浆的酸反应,使表面富集碲,但是在固化期间酸基本被消耗。所述导电浆可包含导电材料、任选的溶剂系统和粘合剂。还提供了薄膜光伏装置,例如具有基本不含酸的导电涂层的那些。 | ||
搜索关键词: | 薄膜 装置 具有 te 富集 控制 接触 | ||
【主权项】:
一种在薄膜光伏装置上形成背接触的方法,所述方法包括:在由p‑n结的p‑型吸收体层限定的表面上施用导电浆,其中所述p‑型吸收体层包含碲化镉,并且其中所述导电浆包含导电材料、溶剂系统和粘合剂;和固化所述导电浆,以在由所述p‑n结的p‑型吸收体层限定的表面上形成导电涂层,其中在固化期间,来自所述导电浆的酸反应,使表面富集碲,并且其中所述酸在固化期间基本被消耗。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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