[发明专利]蓝宝石单晶体的热处理方法及装置在审
申请号: | 201380057280.3 | 申请日: | 2013-09-10 |
公开(公告)号: | CN104755660A | 公开(公告)日: | 2015-07-01 |
发明(设计)人: | 李熙春;崔伊植;文圣皖;张桂源;罗卜基 | 申请(专利权)人: | 蓝宝石科技株式会社 |
主分类号: | C30B33/02 | 分类号: | C30B33/02;C30B29/20 |
代理公司: | 北京冠和权律师事务所 11399 | 代理人: | 朱健 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 本发明的蓝宝石单晶体热处理方法包括如下步骤:将蓝宝石单晶体装入箱室内部的步骤;对箱室内进行加热,从而升温至目标温度的步骤;将箱室内的温度维持在一定温度的步骤;将箱室内冷却至常温的步骤,并且所述升温步骤包括:第一升温步骤,以4℃/min~5℃/min的升温率实施升温至第一设定温度以下;第二升温步骤,完成第一升温步骤后,以1℃/min以下的升温率实施升温至第二设定温度,从而实施多步骤升温,进而在缩短升温时间的同时防止蓝宝石单晶体由于热所致的影响。 | ||
搜索关键词: | 蓝宝石 单晶体 热处理 方法 装置 | ||
【主权项】:
一种蓝宝石单晶体热处理方法,其特征在于,包括:将蓝宝石单晶体装入箱室内部的步骤;对箱室内进行加热,从而升温至目标温度的步骤;将箱室内的温度维持在一定温度的步骤;以及将箱室内冷却至常温的步骤,所述升温步骤包括:第一升温步骤,其以4℃/min~5℃/min的升温率实施升温至第一设定温度;第二升温步骤,完成第一升温步骤后,以1℃/min以下的升温率实施升温至第二设定温度。
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