[发明专利]半导体装置有效

专利信息
申请号: 201380057473.9 申请日: 2013-10-31
公开(公告)号: CN104769467B 公开(公告)日: 2018-12-04
发明(设计)人: L.科佐尔诺马兹;J.霍夫里克特;M.里克特;H.E.里尔 申请(专利权)人: 国际商业机器公司
主分类号: G02B6/12 分类号: G02B6/12
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 赵国荣
地址: 美国纽*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 发明涉及一种至少在光学应用中使用的半导体装置(1),包括:以光学无源模式实质上可操作的至少一个光学无源组件(2),以及至少一种光学有源材料(3),该光学有源材料(3)包括至少一种以光学有源模式实质上可操作的材料,其中:该光学无源组件(2)进一步包括至少一个结晶籽晶层(4),所述光学有源材料在至少一个所述光学无源组件(2)中提供的预限定结构(5)中外延生长以延伸至所述结晶籽晶层(4)的至少一个上表面(4‘)中,并且所述光学无源组件(2)被构成为包括至少一个无源光子结构(6),其中所述结晶籽晶层(4)包括结晶晶片并且其中所述光学有源材料(3)包括下列项目中的至少一种:III‑V材料和II‑VI材料。
搜索关键词: 半导体 装置
【主权项】:
1.一种至少在光学应用中使用的半导体装置(1),包括:实质上以光学无源模式可操作的至少一个光学无源组件(2),以及至少一种光学有源材料(3),该光学有源材料(3)包括至少一种实质上以光学有源模式可操作的材料,其中:该光学无源组件(2)进一步包括至少一个结晶籽晶层(4),所述光学有源材料(3)在至少一个所述光学无源组件(2)中提供的预限定结构(5)中外延生长以延伸至所述结晶籽晶层(4)的至少一个上表面(4’)中,所述光学有源材料(3)在所述预限定结构(5)中的缓冲层(3’)之上生长,所述缓冲层(3’)的材料包括具有比所述光学有源材料(3)的带隙更大的材料,并且所述光学无源组件(2)被构成为包括至少一个无源光子结构(6),其中所述结晶籽晶层(4)包括结晶晶片并且其中所述光学有源材料(3)包括下列项目中的至少一种:III‑V材料和II‑VI材料,其中所述预限定结构(5)延伸到所述结晶籽晶层(4)中。
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