[发明专利]用于制造包括多个竖向结的单块硅晶圆的方法

摘要

本发明涉及一种用于制造包括多个竖向结(2)的单块硅晶圆(10)的方法，多个竖向结具有n掺杂区和p掺杂区的交替，该方法至少包括以下步骤(i)提供液浴(100)，该液浴包括硅、至少一种n型掺杂剂和至少一种p型掺杂剂；(ii)以在方向(I)上定向地凝固该硅，改变其对流‑扩散参数以使交替n掺杂硅层(101)和p掺杂硅层(102)的生长交替；以及(iii)平行于该方向(I)，切割在步骤(ii)结束时所获得的多层结构的薄片(104)，从而获得预期的所述晶圆(10)。

主权项

一种用于制造具有竖向多结(2)的单块硅晶圆(10)的方法，所述竖向多结(2)呈现n掺杂区和p掺杂区的交替，所述方法至少包括以下步骤：i)提供液浴(100)，所述液浴(100)包含硅、至少一种n型掺杂剂和至少一种p型掺杂剂；ii)通过改变对流‑扩散参数以使n掺杂硅层(101)和p掺杂硅层(102)的生长交替，以在方向(I)上定向地凝固所述硅；以及iii)平行于所述方向(I)，切割在所述步骤ii)完成时所获得的多层结构的薄片(104)，从而获得预期的所述晶圆(10)，其中，所述步骤ii)包括：在n掺杂硅层(101)和p掺杂硅层(102)的生长之间，生长中间层(103)，所述中间层(103)呈现大于或等于80Ω·m的电阻率，并且所述中间层(103)在切割平面上呈现从50μm到5mm的宽度(L3)。