[发明专利]制造纳米结构的方法和装置以及互联纳米结构网和纳米结构有效
| 申请号： | 201380057666.4 | 申请日： | 2013-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN104812931B | 公开（公告）日： | 2017-08-01 |
| 发明（设计）人： | 王祖敏 | 申请（专利权）人： | 马克思-普朗克科学促进协会 |
| 主分类号： | C23C14/14 | 分类号： | C23C14/14;C23C16/24;H01L21/02;H01L29/06;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司44224 | 代理人： | 邓云鹏 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种制造纳米结构的方法，包括如下步骤a)提供在至少一个表面上具有多晶膜的基板，其中，所述多晶膜为具有晶粒边界的膜；b)将所述多晶膜暴露于温度等于或者高于环境温度的蒸气流中，其中，所述蒸气包含的至少一种元素扩散进入所述多晶膜的所述晶粒边界，导致在所述晶粒边界处的纳米结构的生长。本发明还涉及一种互连纳米结构网，纳米结构、以及制造纳米结构和互连纳米结构网的装置。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 纳米 结构 方法 装置 以及 | ||
【主权项】：
一种制造纳米结构的方法，其特征在于，包括以下步骤：a)提供在至少一个表面上设有多晶膜的基板，其中，所述多晶膜为具有晶粒边界的膜；b)在等于或者高于环境温度至600℃温度下，将所述多晶膜暴露于蒸气流中，其中，所述蒸气包含的至少一种元素扩散进入所述多晶膜的所述晶粒边界，导致在所述多晶膜内部的所述晶粒边界处的纳米结构的生长。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于马克思-普朗克科学促进协会，未经马克思-普朗克科学促进协会许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201380057666.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
