[发明专利]氮化硅烧结体以及使用该氮化硅烧结体的滑动构件有效
申请号: | 201380057709.9 | 申请日: | 2013-12-06 |
公开(公告)号: | CN104768900A | 公开(公告)日: | 2015-07-08 |
发明(设计)人: | 青木克之;小松通泰;船木开;山口晴彦 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝;东芝高新材料公司 |
主分类号: | C04B35/599 | 分类号: | C04B35/599;F16C33/32 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 刘凤岭;陈建全 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种氮化硅烧结体,其特征在于:在对氮化硅烧结体进行XRD分析时,当将在对应于六方晶系α-SiAlON结晶的29.6±0.3°和31.0±0.3°处检测出的最强峰值强度设定为I29.6°、I31.0°、另一方面将在对应于β-Si3N4结晶的33.6±0.3°、36.1±0.3°处检测出的最强峰值强度设定为I33.6°、I36.1°时,各最强峰值强度满足下述关系式:(I29.6°+I31.0°)/(I33.6°+I36.1°)=0.10~0.30(1)在所述氮化硅烧结体的任意断面中,每单位面积100μm×100μm的晶界相的面积比为25~40%,可加工系数为0.100~0.120。根据本发明,可以提供适合于滑动特性长期稳定的滑动构件的氮化硅烧结体以及使用该氮化硅烧结体的滑动构件。 | ||
搜索关键词: | 氮化 烧结 以及 使用 滑动 构件 | ||
【主权项】:
一种氮化硅烧结体,其特征在于:在对氮化硅烧结体进行XRD分析时,当将在对应于六方晶系α‑SiAlON结晶的29.6±0.3°和31.0±0.3°处检测出的最强峰值强度设定为I29.6°、I31.0°、另一方面将在对应于β‑Si3N4结晶的33.6±0.3°、36.1±0.3°处检测出的最强峰值强度设定为I33.6°、I36.1°时,各最强峰值强度满足下述关系式:(I29.6°+I31.0°)/(I33.6°+I36.1°)=0.10~0.30 (1)在所述氮化硅烧结体的任意断面中,每单位面积100μm×100μm的晶界相的面积比为25~40%,可加工系数为0.100~0.120。
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