[发明专利]半导体基板的蚀刻方法及半导体元件的制造方法在审
| 申请号： | 201380057885.2 | 申请日： | 2013-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN104813451A | 公开（公告）日： | 2015-07-29 |
| 发明（设计）人： | 西胁良典;上村哲也;稲叶正;水谷笃史 | 申请（专利权）人： | 富士胶片株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/308 | 分类号： | H01L21/308;H01L21/306;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 陶敏;臧建明 |
| 地址： | 日本东京港区*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的蚀刻方法是在对具有含有氮化钛(TiN)的第1层及含有过渡金属的第2层的基板进行处理时，选定上述第1层中的表面含氧率为0.1摩尔％～10摩尔％的基板，使含有氨化合物及氧化剂的pH值7～14的蚀刻液与上述基板接触而去除该第1层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 蚀刻 方法 元件 制造 | ||
【主权项】：
一种蚀刻方法，其是在对包括含有氮化钛(TiN)的第1层及含有过渡金属的第2层的基板进行处理时，选定所述第1层中的表面含氧率为0.1摩尔％～10摩尔％的基板，使含有氨化合物及氧化剂的pH值7～14的蚀刻液与所述基板接触而去除所述第1层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
