[发明专利]透明导电膜层叠体及其制造方法、以及薄膜太阳能电池及其制造方法在审
申请号: | 201380058230.7 | 申请日: | 2013-10-11 |
公开(公告)号: | CN105308206A | 公开(公告)日: | 2016-02-03 |
发明(设计)人: | 曾我部健太郎;山野边康德;松村文彦 | 申请(专利权)人: | 住友金属矿山株式会社 |
主分类号: | C23C14/08 | 分类号: | C23C14/08;B32B9/00;H01B5/14;H01B13/00;H01L31/04 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;李茂家 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供在制造高效率的硅系薄膜太阳能电池时作为表面电极有用的、光吸收率低、并且光学限制效果也优异的透明导电膜层叠体和其制造方法、以及使用该透明导电膜层叠体的薄膜太阳能电池和其制造方法。制成一种透明导电膜层叠体,具有如下结构:在透光性基板上在表面粗糙度(Ra)为1.0nm以下的状态下形成的氧化铟系透明导电膜(I)、和在氧化铟系透明导电膜(I)上形成的氧化锌系透明导电膜(II),作为层叠体的表面粗糙度(Ra)为30nm以上、且雾度率为8%以上、并且电阻值为30Ω/□以下,对于波长400nm~1200nm的范围的光的吸收率以平均值计为15%以下。 | ||
搜索关键词: | 透明 导电 层叠 及其 制造 方法 以及 薄膜 太阳能电池 | ||
【主权项】:
一种透明导电膜层叠体,其特征在于,具有如下结构:在透光性基板上具备以表面粗糙度(Ra)为1.0nm以下的状态形成的氧化铟系透明导电膜(I)、和在该氧化铟系透明导电膜(I)上形成的氧化锌系透明导电膜(II),作为层叠体的表面粗糙度(Ra)为30nm以上、且雾度率为8%以上、并且电阻值为30Ω/□以下,对于波长400nm~1200nm的范围的光的吸收率以平均值计为15%以下。
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