[发明专利]用于探测器晶体的子带红外辐照有效
| 申请号： | 201380058602.6 | 申请日： | 2013-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN104781695B | 公开（公告）日： | 2019-06-28 |
| 发明（设计）人： | C·赫尔曼;R·斯特德曼布克 | 申请（专利权）人： | 皇家飞利浦有限公司 |
| 主分类号： | G01T1/24 | 分类号： | G01T1/24 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 李光颖;王英 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 本发明涉及具有用于将入射辐射转换为电信号的直接转换半导体层的辐射探测。当直接转换半导体材料被辐照时，子带红外(IR)辐照大大减少了直接转换半导体材料中的极化，使得可能以较高的管电流来进行计数，而不存在任何基线偏移。IR辐照设备被集成到读出电路中，晶体被以倒装芯片的方式键合到所述读出电路，以便实现4侧可对接晶体。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 探测器 晶体 红外 辐照 | ||
【主权项】：
1.一种辐射探测器，包括：a)直接转换半导体层(60)，其用于将入射辐射转换为电信号；b)包括读出电子器件的基板，所述读出电子器件用于经由被布置在所述直接转换半导体层(60)处的像素盘(20)来接收所述电信号；以及c)多个红外辐射源(30、32)，其被连接或集成到所述基板，并且适于辐照所述直接转换半导体层(60)；所述辐射探测器的特征在于：d)所述多个红外辐射源(30；32)被提供在红外源层(10)上，所述红外源层被内插在所述直接转换半导体层(60)与所述基板的读出芯片(50)之间，并且所述红外源层经由所述像素盘(20)被以倒装芯片的方式键合到所述直接转换半导体层(60)，其中，所述红外源层包括用于将所述像素盘(20)电连接到所述读出芯片(50)上的相关接触部分的穿过连接部分(40)。
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