[发明专利]全频带放大器在审
| 申请号： | 201380059119.X | 申请日： | 2013-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN104798299A | 公开（公告）日： | 2015-07-22 |
| 发明（设计）人： | A·M·塔希奇;A·B·戴维瓦拉;C·纳拉斯隆;K·范扎临居 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | H03F3/193 | 分类号： | H03F3/193;H03F3/68;H04B1/16 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 蔡悦 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 公开了支持多个频带组的全频带放大器。在一示例性设计中，一种装置(例如，无线设备、集成电路等)包括至少一个增益晶体管以及针对多个频带组的多个共源共栅晶体管。每个频带组覆盖多个频带。增益晶体管接收输入射频(RF)信号。共源共栅晶体管被耦合至增益晶体管并且提供针对多个频带组中的一个频带组的输出RF信号。在一示例性设计中，增益晶体管包括针对多个频带组的多个增益晶体管。一个增益晶体管和一个共源共栅晶体管被启用以放大输入RF信号并且提供针对所选频带组的输出RF信号。增益晶体管可被耦合至单个源极衰退电感器的不同抽头或耦合至不同的源极衰退电感器。 | ||
| 搜索关键词： | 频带 放大器 | ||
【主权项】：
一种装置，包括：被配置成接收输入射频(RF)信号的至少一个增益晶体管；以及针对多个频带组的多个共源共栅晶体管，所述多个共源共栅晶体管被耦合至所述至少一个增益晶体管并且被配置成提供针所述对多个频带组中的一个频带组的输出RF信号。
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