[发明专利]半导体外延晶片的制造方法、半导体外延晶片以及固体摄像元件的制造方法有效
| 申请号： | 201380059268.6 | 申请日： | 2013-11-11 |
| 公开（公告）号： | CN104781918B | 公开（公告）日： | 2018-12-18 |
| 发明（设计）人： | 门野武;栗田一成 | 申请（专利权）人： | 胜高股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/322 | 分类号： | H01L21/322;C23C16/02;C23C16/42;C30B23/02;H01L21/20;H01L21/205;H01L21/265;H01L27/14 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 王岳;陈岚 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供了能够通过发挥更高的吸杂能力来抑制金属污染的半导体外延晶片及其制造方法、以及使用该半导体外延晶片来制造固体摄像元件的方法。本发明的半导体外延晶片100的制造方法的特征在于，具有：第一工序，在其中，对包括碳和氮的至少一个的半导体晶片10照射簇离子16，在该半导体晶片10的表面10A形成簇离子16的构成元素固溶而成的改性层18；以及第二工序，在其中，在半导体晶片10的改性层18上形成第一外延层20。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 外延 晶片 制造 方法 以及 固体 摄像 元件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体外延晶片的制造方法，其特征在于，具有：第一工序，在其中，对包括碳和氮的至少一个的半导体晶片照射包含碳氢化合物的簇离子，在该半导体晶片的表面形成所述簇离子的构成元素固溶而成的改性层；以及第二工序，在其中，利用CVD法在所述半导体晶片的改性层上形成第一外延层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
