[发明专利]半导体发光元件及其制作方法有效
| 申请号： | 201380059691.6 | 申请日： | 2013-07-03 |
| 公开（公告）号： | CN104798175B | 公开（公告）日： | 2017-06-30 |
| 发明（设计）人： | 林俊宇;倪庆怀;陈怡名;徐子杰;邱新智;吕志强;林敬倍 | 申请（专利权）人： | 晶元光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体发光元件的制作方法及半导体发光元件。该方法包含提供第一基板(20)；提供半导体外延叠层(110)；提供第一粘着层(135)连接第一基板(20)及半导体外延叠层(110)；图案化半导体外延叠层(110)为多个外延单元并使彼此自第一基板(20)上分离；提供第二基板(30)，具有一表面；转移上述多个第二外延单元至第二基板(30)的表面上；切割第一基板(20)以形成多个第一半导体发光元件以及切割第二基板(30)以形成多个第二半导体发光元件。多个外延单元包含多个第一外延单元(201)和多个第二外延单元(202)。每一第一外延单元(201)具有第一几何形状及第一面积，每一第二外延单元(202)具有第二几何形状及第二面积。第一几何形状与第二几何形状不相同或第一面积与第二面积不相同。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 元件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种半导体发光元件的制作方法，包含：提供第一基板；提供一半导体外延叠层；以一第一粘着层粘接该第一基板及该半导体外延叠层；形成一图案化牺牲层于该第一粘着层与该第一基板之间；图案化该半导体外延层叠层为多个外延单元，其中该多个外延单元包含：多个第一外延单元，其中每一该第一外延单元具有第一几何形状及第一面积；以及多个第二外延单元，其中每一该第二外延单元具有第二几何形状及第二面积；提供第二基板，具有一表面；转移该些第二外延单元至该第二基板的该表面上；以及切割该第一基板以形成多个第一半导体发光元件，其中每一个该第一半导体发光元件包含至少一该第一外延单元；其中，该第一几何形状与该第二几何形状不相同或该第一面积与该第二面积不相同。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于晶元光电股份有限公司，未经晶元光电股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201380059691.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
