[发明专利]具有轴向设计的半导体和栅极金属化的垂直纳米线晶体管有效
| 申请号： | 201380059720.9 | 申请日： | 2013-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN104823282B | 公开（公告）日： | 2018-02-06 |
| 发明（设计）人： | B·S·多伊尔;R·科特利尔;U·沙阿;C·C·郭 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司72002 | 代理人： | 陈松涛,王英 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 垂直取向的纳米线晶体管包括半导体层或具有在所述晶体管的长度上变化的组分的栅极电极。在实施例中，晶体管沟道区的组分沿所述沟道的长度组分渐变或分层，以诱导应变，和/或包括高迁移率注入层。在实施例中，沉积包括多个栅极电极材料的栅极电极叠置体，以调制沿所述栅极长度的栅极电极功函数。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 轴向 设计 半导体 栅极 金属化 垂直 纳米 晶体管 | ||
【主权项】：
一种垂直纳米线晶体管，所述垂直纳米线晶体管具有与晶体衬底的表面平面垂直取向的纵轴，所述晶体管包括：IV族或III‑V族外延源极半导体层，所述IV族或III‑V族外延源极半导体层沿所述纵轴与外延IV族或III‑V族漏极半导体层垂直对齐；IV族或III‑V族外延沟道半导体层，所述IV族或III‑V族外延沟道半导体层设置在源极半导体层与漏极半导体层之间，所述沟道半导体层具有与所述晶体管的沟道长度相关联的外延膜厚度，其中，就电子而言，与所述沟道半导体层和所述漏极半导体层相比，所述源极半导体层沿传输方向具有较低的有效质量和/或在垂直于传输的平面中具有较高的态密度质量；以及环形栅极电极，所述环形栅极电极围绕所述半导体沟道层的侧壁，其间由环形栅极电介质层分隔，并且其中，所述栅极电极或所述半导体层中的至少一个的组分沿所述纵轴变化。
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