[发明专利]收容容器、收容容器的制造方法、半导体的制造方法以及半导体制造装置在审
| 申请号： | 201380059730.2 | 申请日： | 2013-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN104854678A | 公开（公告）日： | 2015-08-19 |
| 发明（设计）人： | 鸟见聪;矢吹纪人;野上晓 | 申请（专利权）人： | 东洋炭素株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/265 | 分类号： | H01L21/265;C30B29/36;C30B33/12;H01L21/02;H01L21/20;H01L21/302 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳;谢弘 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种Si不会落到单晶SiC基板上，且能使其内部空间内的Si的压力分布均匀的收容容器。该收容容器收容藉由Si的蒸汽压力下的加热处理而被蚀刻的单晶SiC基板。该收容容器由钽金属构成，且在其内部空间側设置有碳化钽层，该碳化钽层的更靠内部空间側设置有硅化钽层。硅化钽层向内部空间提供Si。此外，硅化钽层不同于固着的Si，不会熔化落下。 | ||
| 搜索关键词： | 收容 容器 制造 方法 半导体 以及 装置 | ||
【主权项】：
一种收容容器，用于收容藉由Si的蒸汽压力下的加热处理而被蚀刻的单晶SiC基板，其特征在于:上述收容容器由钽金属构成，且在其内部空间側设置有碳化钽层，该碳化钽层的更靠内部空间側设置有硅化钽层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
