[发明专利]倒装接合方法、和特征在于包含该倒装接合方法的固体摄像装置的制造方法在审
申请号: | 201380059783.4 | 申请日: | 2013-10-02 |
公开(公告)号: | CN104798187A | 公开(公告)日: | 2015-07-22 |
发明(设计)人: | 迫田直树 | 申请(专利权)人: | 夏普株式会社 |
主分类号: | H01L21/607 | 分类号: | H01L21/607;H01L21/60 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 在使电子元器件(1)的电极隔着凸点(2)与基板(4)的电极(5)接合时,仅施加凸点(2)的主体材料的屈服应力以上的第一压力,之后,降低或停止第一压力的施加,接着,对凸点(2)施加规定的超声波振动,并分阶段地施加压力直至成为凸点(2)的主体材料的屈服应力以上的第二压力。 | ||
搜索关键词: | 倒装 接合 方法 特征 在于 包含 固体 摄像 装置 制造 | ||
【主权项】:
一种使电子元器件的电极隔着凸点电极与基板的连接端子接合的倒装接合方法,其特征在于,包括:进行所述电子元器件与所述基板的对位的对位工序;在所述对位工序之后,一边对所述电子元器件的电极和所述基板的连接端子中的至少任一者进行加热,一边使所述电子元器件的电极隔着所述凸点电极与所述基板的连接端子接触的接触工序;在所述接触工序之后,对所述凸点电极不施加超声波振动而施加构成所述凸点电极的主体材料的屈服应力以上的第一压力,由此使所述凸点电极的一部分变形的第一施加工序;使所述第一压力的施加降低或停止的降低/停止工序;和在所述降低/停止工序之后,对所述凸点电极一边施加规定的超声波振动,一边分阶段地施加压力直至成为构成所述凸点电极的主体材料的屈服应力以上的第二压力的第二施加工序。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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