[发明专利]利用定向自组装的垂直纳米线晶体管沟道和栅极的图案化

摘要

本发明描述了定向自组装(DSA)材料或二嵌段共聚物，其可能基于一次光刻操作来对最终限定垂直纳米线晶体管的沟道区和栅极电极的特征进行图案化。在实施例中，DSA材料被约束在使用常规光刻技术进行图案化的引导开口内。在实施例中，沟道区和栅极电极材料对准到DSA材料内的分离的区域的边缘。

主权项

一种在衬底上形成纳米线场效应晶体管(FET)的方法，所述方法包括：在设置在所述晶体管的源极/漏极半导体层之上的掩模层中以光刻方式对第一直径的引导开口进行图案化；将定向自组装(DSA)材料沉积到所述引导开口中；将所述定向自组装(DSA)材料分离成被所述引导开口内的外部聚合物区完全包围的内部聚合物区；通过相对于彼此有选择地去除所述内部聚合物区和所述外部聚合物区的其中之一来在所述引导开口内限定所述晶体管的半导体沟道区，其中，所述半导体沟道区的直径以及与所述引导开口的边缘的间隔都由定向自组装(DSA)分离部来限定；去除所述内部聚合物区和所述外部聚合物区中的另一个；将栅极电介质沉积在所述半导体沟道区之上；以及利用具有自对准到所述引导开口的外直径的环形栅极电极包围所述半导体沟道区。