[发明专利]半导体元件搭载用基板及其制造方法

摘要

提供一种电极层的剖面为大致逆梯形形状并且表面形成为粗化面的提高了电极层和树脂的紧贴性的半导体元件搭载用基板及其制造方法。在半导体元件搭载用基板的制造方法中，其特征在于，依次经过下述工序：a)在金属板表面上通过主要的感光波长不同的抗蚀剂形成下抗蚀剂层和上抗蚀剂层这2层抗蚀剂层的工序；b)在下抗蚀剂层未曝光状态下按照预定图案使上抗蚀剂层曝光的工序；c)在上抗蚀剂层中形成预定图案的开口部，在未曝光状态的下抗蚀剂层中，形成开口部，而部分性地露出金属板表面的显影工序；d)利用下抗蚀剂层的曝光的硬化工序；e)向从下抗蚀剂层露出了的金属板表面形成镀敷层的工序；f)通过蚀刻处理使镀敷层表面成为粗化面的工序；g)在该粗化面上进行键合用贵金属镀敷的工序；以及h)将抗蚀剂层全部剥离的工序。

主权项

一种半导体元件搭载用基板的制造方法，其特征在于，依次经过下述(a)～(h)的工序：(a)在金属板的表面，使用将各自不同的波长设计成主要的感光波长的2种抗蚀剂，形成由下抗蚀剂层和上抗蚀剂层这2层构成的抗蚀剂层的工序；(b)在所述下抗蚀剂层未曝光的状态下，按照预定图案对所述上抗蚀剂层进行曝光的工序；(c)显影工序，在所述上抗蚀剂层中形成预定图案的开口部，从所述开口部，针对未曝光状态的所述下抗蚀剂层，通过所述上抗蚀剂层的图案来形成开口部而部分性地露出所述金属板的表面；(d)对所述下抗蚀剂层进行曝光而使得硬化的工序；(e)在从所述下抗蚀剂层露出了的所述金属板的表面，形成预定的镀敷层的工序；(f)通过蚀刻处理使所述镀敷层的表面成为粗化面的工序；(g)在所述(f)的工序中形成了的所述粗化面上进行键合用的贵金属镀敷的工序；以及(h)剥离包括由所述下抗蚀剂层和上抗蚀剂层这2层构成的抗蚀剂层在内的所有抗蚀剂层的工序。