[发明专利]薄晶体管元件的从硅到硅锗的转换有效
| 申请号： | 201380060346.4 | 申请日： | 2013-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN104813453B | 公开（公告）日： | 2018-03-13 |
| 发明（设计）人： | G·A·格拉斯;D·B·奥贝蒂内;A·S·默西;G·塔雷亚;S·M·塞亚 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司72002 | 代理人： | 林金朝,王英 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开内容的实施例提供了与薄晶体管元件的从硅(Si)到硅锗(SiGe)的转换相关联的技术和构造。在一个实施例中，方法包括提供具有设置在半导体衬底上的晶体管器件的沟道主体的半导体衬底，所述沟道主体包括硅；在所述沟道主体上形成包括锗的包覆层；以及对所述沟道主体进行退火，以使锗扩散到所述沟道主体中。可以描述和/或要求保护其它实施例。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 元件 硅到硅锗 转换 | ||
【主权项】：
一种将晶体管元件从硅(Si)转换为硅锗(SiGe)的方法，所述方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底具有设置在所述半导体衬底上的晶体管器件的沟道主体，所述沟道主体包括硅；在所述沟道主体上形成包括锗的包覆层；在所述包覆层上形成盖层以实质上覆盖所述包覆层的全部材料，以防止所述包覆层在所述沟道主体的退火期间发生流动；以及对所述沟道主体进行退火，以使所述锗扩散到所述沟道主体中，其中，形成所述盖层是在对所述沟道主体进行退火之前执行的，并且其中，利用设置在所述包覆层上的所述盖层来执行对所述沟道主体进行退火。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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