[发明专利]电容性微加工换能器和制造所述电容性微加工换能器的方法在审
| 申请号： | 201380060566.7 | 申请日： | 2013-11-06 |
| 公开（公告）号： | CN104812504A | 公开（公告）日： | 2015-07-29 |
| 发明（设计）人： | J·H·克鲁特威克;M·米尔德;N·M·A·德维尔德;K·卡拉卡亚;C·A·范登赫费尔 | 申请（专利权）人： | 皇家飞利浦有限公司 |
| 主分类号： | B06B1/02 | 分类号： | B06B1/02 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 蔡洪贵 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 本发明涉及一种制造电容性微加工换能器(100)、尤其是CMUT的方法，所述方法包括：将第一电极层(10)沉积在基板(1)上，将第一介电薄膜(20)沉积在所述第一电极层(10)上，将牺牲层(30)沉积在所述第一介电薄膜(20)上，所述牺牲层(30)可移除以形成所述换能器的腔体(35)，将第二介电薄膜(40)沉积在所述牺牲层(30)上，将第二电极层(50)沉积在所述第二介电薄膜(40)上，以及图案化所述沉积层和薄膜(10、20、30、40、50)中的至少一个，其中所述沉积步骤是通过原子层沉积来执行的。本发明还涉及一种通过此方法制造的电容性微加工换能器、尤其是CMUT。 | ||
| 搜索关键词： | 电容 加工 换能器 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种制造电容性微加工换能器(100)、具体来讲是CMUT的方法，所述方法包括：‑沉积牺牲层(30)，所述牺牲层(30)能够被移除以形成所述换能器的腔体(35)，‑通过提供蚀刻孔洞(32)并蚀刻所述牺牲层(30)以形成腔体(35)来移除所述牺牲层(30),并且随后执行以下步骤中的至少一个:‑通过原子层沉积在所述腔体(35)中沉积第一电极层(10)和第二电极层(50)；和/或‑通过原子层沉积在所述腔体(35)中将第一介电薄膜(20)沉积在所述第一电极层(10)上且将第二介电薄膜(40)沉积在所述第二电极层(50)上。
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