[发明专利]平坦的SiC半导体基板有效
| 申请号： | 201380060888.1 | 申请日： | 2013-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN104813439B | 公开（公告）日： | 2017-04-12 |
| 发明（设计）人： | M·罗伯达;克里斯多佛·帕菲纽克 | 申请（专利权）人： | 道康宁公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京安信方达知识产权代理有限公司11262 | 代理人： | 张瑞,郑霞 |
| 地址： | 美国密*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及用于制造具有优异的弯曲度、翘曲度、总厚度变化(TTV)、局部厚度变化(LTV)和部位正面最小二乘焦平面范围(SFQR)技术规格的碳化硅晶片的方法。所得的SiC晶片具有适合SiC的外延沉积的镜状表面。在增添所述外延层后，所述弯曲度、翘曲度、总厚度变化(TTV)、局部厚度变化(LTV)和部位正面最小二乘焦平面范围(SFQR)技术规格得以保持。 | ||
| 搜索关键词： | 平坦 sic 半导体 | ||
【主权项】：
一种制造单晶碳化硅晶片的方法，包括：(i)将单晶碳化硅的铸锭切成多个单晶碳化硅晶片；(ii)对步骤(i)的所述单晶碳化硅晶片的每一个的周缘进行倒角；(iii)使用具有直径为所述单晶碳化硅晶片的直径的至少三倍的表面的研磨工具，从步骤(ii)的所述单晶碳化硅晶片的每一个的前表面和后表面执行锯伤移除；以及(iv)对步骤(iii)的每个单晶碳化硅晶片的两个表面同时抛光；从而制造基于一平方厘米的部位大小具有0.1至1.5μm的局部厚度变化(LTV)和0.01至0.3μm的部位正面最小二乘焦平面范围(SFQR)的单晶碳化硅晶片。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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